一种氮化镓异质结二极管制备方法及二极管专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种氮化镓异质结二极管制备方法及二极管

基本信息

申请号	CN202011532080.7	申请日	-
公开（公告）号	CN112652535A	公开（公告）日	2021-04-13
申请公布号	CN112652535A	申请公布日	2021-04-13
分类号	H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	杨勇;张光亚;朱勇华;付国振	申请（专利权）人	深圳市美浦森半导体有限公司
代理机构	中山市科企联知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	杨立铭
地址	518000广东省深圳市南山区招商街道水湾社区太子路22号金融中心大厦1601
法律状态	-

摘要

本发明提供一种氮化镓异质结二极管制备方法及二极管，其制备方法包括以下步骤：制备一二氧化硅‑氮化镓‑氮化镓铝外延片衬底，依次淀积氮化铝层和二氧化硅层；曝光刻蚀氮化铝层和二氧化硅层，露出二维电子气的位置；内镀上一层二氧化硅层；曝光刻蚀露出氮化镓铝层，形成源极孔和漏极孔；沉积一复合金属钛铝镍金层；曝光刻蚀掉步骤S10中的二氧化硅层，露出氮化铝层形成一个栅极引线孔，淀积一铝层，形成氮化镓器件的异质结；顶部镀上一层二氧化硅层作为绝缘层，并曝光刻蚀该二氧化硅层露出源极孔和漏极孔；沉积一铝层，形成氮化镓异质结二极管器件源极和漏极。通过以上方法制得的二极管功率密度输出高，能量转换效率高，可使系统小型化、轻量化。