一种超级结碳化硅二极管元胞结构
基本信息
| 申请号 | CN202023208124.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213816164U | 公开（公告）日 | 2021-07-27 |
| 申请公布号 | CN213816164U | 申请公布日 | 2021-07-27 |
| 分类号 | H01L29/861（2006.01）;H01L29/06（2006.01）;H01L29/16（2006.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨勇;张光亚;朱勇华;付国振 | 申请（专利权）人 | 深圳市美浦森半导体有限公司 |
| 代理机构 | 中山市科企联知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杨立铭 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区招商街道水湾社区太子路22号金融中心大厦1601 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供的一种超级结碳化硅二极管元胞结构，包括：碳化硅N型半导体衬底，所述碳化硅N型半导体衬底上设置N型外延层，在所述N型外延层的顶部设置一对平行的沟槽，所述沟槽呈倒置等腰梯形状，所述沟槽内填充绝缘介质，所述N型外延层对应所述沟槽的外壁处设置P型掺杂区，所述P型掺杂区、所述绝缘介质及所述N型外延层的顶部设置阳极层，所述碳化硅N型半导体衬底的底部设置阴极层。通过上述设计，采用超级结技术路线，利用深槽刻蚀、倾斜高能离子注入、电介质回填沟槽方式便于加工，器件结构中P型和N型电荷的电荷平衡易控制，工艺的简单实现成本随之降低。 |
