一种低压快恢复二极管的制备方法及二极管
基本信息
| 申请号 | CN202011528257.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112652534A | 公开（公告）日 | 2021-04-13 |
| 申请公布号 | CN112652534A | 申请公布日 | 2021-04-13 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨勇;张光亚;朱勇华;付国振 | 申请（专利权）人 | 深圳市美浦森半导体有限公司 |
| 代理机构 | 中山市科企联知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杨立铭 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区招商街道水湾社区太子路22号金融中心大厦1601 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种低压快恢复二极管的制备方法及二极管，所述制备方法包括以下步骤：制备一N型半导体衬底，在衬底上形成一N型外延层；在所述N型外延层上场氧形成一热氧化层；通过N+截止环掩模版曝光刻蚀露出N+open离子注入窗口区；在所述N+open的窗口区高能离子注入离子磷；通过PLS主结掩模版曝光刻蚀PLS主结区，并高能离子注入硼；完成后进行高温推进形成P阱与N阱；在器件正面溅射铝，通过金属掩模版曝光刻蚀形成正电极；在正电极表面淀积钝化层，通过钝化层掩模版曝光刻蚀形成器件保护结构；在N型半导体衬底的背面蒸发形成一金属银层，并引出负电极。在保证特性不变的条件下省略孔层次的工艺，从而提高产品生产效率，降低器件的生产成本。 |
