一种银面碳化硅二极管表面钝化加工工艺
基本信息
| 申请号 | CN202011528189.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112652533A | 公开（公告）日 | 2021-04-13 |
| 申请公布号 | CN112652533A | 申请公布日 | 2021-04-13 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨勇;张光亚;朱勇华;付国振 | 申请（专利权）人 | 深圳市美浦森半导体有限公司 |
| 代理机构 | 中山市科企联知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杨立铭 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区招商街道水湾社区太子路22号金融中心大厦1601 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供的一种银面碳化硅二极管表面钝化加工工艺，包括以下步骤：S10.在二极管的表面通过金属掩模版曝光刻蚀正面金属铝层；S20.在金属铝层上沉积一层等离子PE氮化硅层，通过钝化掩膜版曝光各向同性干法刻蚀等离子PE氮化硅层，形成器件终端表面钝化结构；S30.在器件终端表面钝化结构上蒸发一复合金属钛镍银层；S40.通过金属掩模版曝光刻蚀复合金属钛镍银层，形成器件银面正电极。与传统各项异性干法刻蚀相比保证了复合金属钛镍银TI‑NI‑AG与金属铝在器件终端处的粘附性，避免了金属钛镍银的脱落，同时此方案成本低。 |
