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一种碳化硅功率肖特基二极管

基本信息

申请号	CN202021940685.5	申请日	-
公开（公告）号	CN212725324U	公开（公告）日	2021-03-16
申请公布号	CN212725324U	申请公布日	2021-03-16
分类号	H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	杨勇	申请（专利权）人	深圳市美浦森半导体有限公司
代理机构	中山市科企联知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	杨立铭
地址	518000广东省深圳市南山区招商街道水湾社区太子路22号金融中心大厦1601
法律状态	-

摘要

本实用新型提供的一种碳化硅功率肖特基二极管，包括依次设置的背面金属、碳化硅n+衬底、n‑外延漂移区和底部金属，所述n‑外延漂移区和所述底部金属相对的一面设有若干个沟槽，每两个相邻的沟槽间设有第一接触孔，每个所述沟槽的底部设有第二接触孔，所述沟槽的底部覆盖有正面金属，所述沟槽的侧壁设有栅氧化层，所述底部金属和所述n‑外延漂移区相对的一面设有与所述沟槽数量相等的凸起，所述凸起与所述沟槽相配合的结构。在正向小信号时低势垒结能提供低的正向压降，大信号时沟槽内高势垒肖特基结导通，可以提供良好的大电流导通特性和抗浪涌能力；反向时，沟槽间低势垒肖特基电流通道被横向MOS势垒夹断，避免了低势垒肖特基结的低压击穿。