Flash模拟电路及其操作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110540646.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113326185A | 公开（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申请公布号 | CN113326185A | 申请公布日 | 2021-08-31 |
| 分类号 | G06F11/36（2006.01）I;G06F13/16（2006.01）I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 孙向向;江国范 | 申请（专利权）人 | 青芯半导体科技（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 上海智晟知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 张东梅 |
| 地址 | 200120上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路2305号B幢608室（房产登记证为5层） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种Flash模拟电路及其操作方法，包括：Flash控制逻辑单元，被配置为将片内Flash操作命令提供至片内Flash模拟单元；片内Flash模拟单元，被配置为等效替代片内Flash，根据片内Flash操作命令，将BLOCK RAM模块作为片内Flash，通过控制逻辑对BLOCK RAM模块进行模拟行为，得到片内Flash行为模拟效应，以及将片内Flash行为模拟效应提供至Flash控制逻辑单元。 |
