磁控液体阴极电弧等离子体蒸发离化源、镀膜装置及方法
基本信息
| 申请号 | CN202011492839.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112708858A | 公开（公告）日 | 2021-04-27 |
| 申请公布号 | CN112708858A | 申请公布日 | 2021-04-27 |
| 分类号 | C23C14/32;C23C14/24;C23C14/54 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 王殿儒;田玉波;陈庆振;高军政;王百湘;田源 | 申请（专利权）人 | 唐山中土科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 北京安度修典专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 杨方成 |
| 地址 | 100086 北京市海淀区北三环西路48号三号楼3B | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种磁控液体阴极电弧等离子体蒸发离化源，包括：金属阳极，配置为与电源正极相连；可消耗的金属阴极，配置为与所述电源负极相连，以在所述电源接通后熔化所述金属阴极的工作表面形成液态蒸发面后产生等离子体；冷却容器，所述金属阴极容置于所述冷却容器内；磁场生成机构，配置为环绕所述金属阴极的液态蒸发面形成磁场，以作用所述等离子体。该离化源避免现有技术的直接通过电弧形成弧斑形成等离子体时出现携带液滴的现象，极大提高镀膜质量和膜层使用寿命。 |
