一种旁热式硅基薄膜催化氢气传感器及其加工方法
基本信息
| 申请号 | CN202010936802.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112034005A | 公开（公告）日 | 2020-12-04 |
| 申请公布号 | CN112034005A | 申请公布日 | 2020-12-04 |
| 分类号 | G01N25/32;G01N27/16;B82Y15/00;B82Y40/00 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 沈方平 | 申请（专利权）人 | 苏州芯镁信电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京常青藤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 苏州芯镁信电子科技有限公司 |
| 地址 | 215128 江苏省苏州市吴中区东吴北路8号国裕大厦一期1504-3室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种旁热式硅基薄膜催化氢气传感器，本氢气传感器通过MEMS加工工艺获得，包括硅基底，所述硅基底上表面设有绝热层，所述硅基底下表面开有一个或一对延伸至所述绝热层的绝热槽，所述绝热层表面设有一对高电阻温度系数材料组成的加热线圈，所述加热线圈内侧、外侧或上方设有催化薄膜层，所述催化薄膜层其一表面覆盖有一层耐高温介质层，其二表面留空，所述绝热层外圈设有贵金属薄膜电阻。本发明提供的氢气传感器可以同时在催化燃烧和热导两种模式下工作，体积小，功耗低，响应快，使用寿命长。 |
