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一种钯薄膜氢气传感器

基本信息

申请号 CN202011581593.7 申请日 -
公开（公告）号 CN112763660A 公开（公告）日 2021-05-07
申请公布号 CN112763660A 申请公布日 2021-05-07
分类号 G01N33/00(2006.01)I;G01R31/12(2006.01)I 分类 -
发明人 沈方平 申请（专利权）人 苏州芯镁信电子科技有限公司
代理机构 广州三环专利商标代理有限公司 代理人 郝传鑫;贾允
地址 215000江苏省苏州市吴中区东吴北路8号国裕大厦一期1504-3室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种钯薄膜氢气传感器，包括硅衬底、绝缘层、至少一个硅槽、钯合金薄膜组件、屏蔽层与控温组件；其中，钯合金薄膜组件包括对称设置的第一钯合金薄膜与第二钯合金薄膜；屏蔽层位于绝缘层上，并且还开设吸收窗口，吸收窗口与第一钯合金薄膜对应设置，用于供第一钯合金薄膜与氢气接触；控温组件包括加热线圈与测温线圈，测温线圈用于检测钯合金薄膜组件周围的温度，加热线圈用于升高钯合金薄膜组件周围的温度；硅槽与绝缘层相配合用于对钯合金薄膜组件保温。本发明采用对氢气敏感度高的钯合金，同时引入惠斯通电桥，大大提升了检测精度；其特殊的立体结构极大地提升了热响应速度，保温效果好，灵敏度高。