一种氮化钽薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911023958.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110783049A | 公开（公告）日 | 2020-02-11 |
| 申请公布号 | CN110783049A | 申请公布日 | 2020-02-11 |
| 分类号 | H01C17/075;H01C17/12;H01C17/14;C23C14/06;C23C14/34 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 北京朝歌汉荣科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京卓唐知识产权代理有限公司 | 代理人 | 唐海力 |
| 地址 | 100089 北京市海淀区地锦路33号院1号楼3层N8303 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种氮化钽薄膜的制备方法，包括：通过氩离子束轰击金属钽靶，获得金属样品；通过氮离子束轰击所述金属样品，沉积获得氮化钽薄膜层；通过热处理所述氮化钽薄膜层，获得氮化钽薄膜电阻。本申请所提供的氮化钽薄膜电阻的制备方法所获得的氮化钽薄膜电阻，与基底附着良好、具有较小电阻温度系数TCR，且具有长时间老化电阻变化率(ACR)约0.01％的高稳定性。 |
