一种氮化钽薄膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111389072.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114150281A | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申请公布号 | CN114150281A | 申请公布日 | 2022-03-08 |
| 分类号 | C23C14/35（2006.01）I;C23C14/18（2006.01）I;C23C14/48（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 闫广平 | 申请（专利权）人 | 北京朝歌汉荣科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京知果之信知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高科 |
| 地址 | 100095北京市海淀区地锦路33号院1号楼3层N8303 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化钽薄膜及其制备方法，所述氮化钽薄膜由氧化锆保护层及氮化钽基底组成。本发明采用磁控溅射法制备双层结构薄膜，并结合放电等离子烧结工序对氧化锆层进行处理，将氧化锆的晶型进行转变以适应基底的晶相结构。本发明优化了制备工序，在薄膜层间形成了无缺陷的相干区域，由于共格界面的存在，解决了两相结合问题的同时，还能使氮化钽薄膜具有更高的强度及综合性能。 |
