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压后分析方法、电子设备及存储介质

基本信息

申请号	CN202110024540.3	申请日	-
公开（公告）号	CN114741978A	公开（公告）日	2022-07-12
申请公布号	CN114741978A	申请公布日	2022-07-12
分类号	G06F30/28（2020.01）I;E21B43/26（2006.01）I;G06F113/08（2020.01）N;G06F119/14（2020.01）N	分类	计算；推算；计数;
发明人	周彤;李凤霞;王海波;贺甲元;李小龙;潘林华;沈云琦	申请（专利权）人	中国石油化工股份有限公司石油勘探开发研究院
代理机构	北京思创毕升专利事务所	代理人	-
地址	100728北京市朝阳区朝阳门北大街22号
法律状态	-

摘要

本发明提出了一种压后分析方法、电子设备及存储介质。压后分析包括：采用同一压裂管柱、同一压裂液体系的已压裂水平井的单段作为分析目标，计算各井、各压裂段的沿程‑射孔摩阻Pwell‑perf和沿程‑射孔摩阻系数α；利用各井、各压裂段的沿程‑射孔摩阻值Pwell‑perf，计算各压裂段的沿程‑射孔摩阻系数梯度λ；基于所述各压裂段的沿程‑射孔摩阻系数梯度λ，通过对比获得最小值，从而确定沿程摩阻系数梯度λmin；利用所述沿程摩阻系数梯度λmin，计算各井、各压裂段的沿程摩阻Pwell。本发明针对采用同一压裂管柱、同一压裂液体系的已压裂井，利用其各段主压裂停泵压力秒点数据，定量评价采用该压裂管柱与压裂液体系条件下的管柱沿程摩阻。