压后分析方法、电子设备及存储介质

基本信息

申请号 CN202110024544.1 申请日 -
公开(公告)号 CN114741979A 公开(公告)日 2022-07-12
申请公布号 CN114741979A 申请公布日 2022-07-12
分类号 G06F30/28(2020.01)I;E21B43/26(2006.01)I;G06F113/08(2020.01)N;G06F119/14(2020.01)N 分类 计算;推算;计数;
发明人 周彤;李凤霞;王海波;贺甲元;刘长印;潘林华;李小龙 申请(专利权)人 中国石油化工股份有限公司石油勘探开发研究院
代理机构 北京思创毕升专利事务所 代理人 -
地址 100728北京市朝阳区朝阳门北大街22号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提出了一种压后分析方法、电子设备及存储介质。压后分析包括:计算各压裂段的沿程‑射孔摩阻Pwell‑perf和迂曲摩阻Ptort;计算沿程‑射孔摩阻系数α和迂曲摩阻系数β;确定沿程‑射孔摩阻系数梯度最小值λmin;计算各压裂段的射孔摩阻系数ζn和射孔摩阻Pperf‑n;计算各压裂段的沿程摩阻Pwell‑n和沿程摩阻系数ηn。该方法利用压裂施工现场实际数据,通过分析主压裂停泵压力降落曲线变化特征,可以定量评价水平井压裂过程中沿程摩阻、射孔摩阻与迂曲摩阻。