具有横向达通二极管的电阻(R)－电容(C)－二极管(D)网络薄膜集成电路结构与制造专利查询专利号|摘要-满商公司网

具有横向达通二极管的电阻(R)－电容(C)－二极管(D)网络薄膜集成电路结构与制造

基本信息

申请号	CN200510010044.3	申请日	-
公开（公告）号	CN1731582A	公开（公告）日	2006-02-08
申请公布号	CN1731582A	申请公布日	2006-02-08
分类号	H01L27/02(2006.01);H01L21/82(2006.01)	分类	基本电气元件;
发明人	刘振茂;陶盛;孙芳魁;丁峰;李开国;赵晖;金妍	申请（专利权）人	黑龙江八达通用微电子有限公司
代理机构	哈尔滨市哈科专利事务所有限责任公司	代理人	黑龙江八达通用微电子有限公司
地址	150078黑龙江省哈尔滨市开发区迎宾集中区洪湖路哈尔滨国际科技城
法律状态	-

摘要

本发明公开一种具有横向达通二极管的电阻(R)－电容(C)－二极管(D)网络薄膜集成电路结构及制作，采用普通硅片(P)制作具有高导电层和过冲电压保护的网络薄膜集成电路，不采用硅外延或外延工艺，并且缩短工艺流程，降低集成电路制造成本。本发明中硼扩散形成的P⁺ (11)区，既为集成电路的公共接地导电层，又是交叉脂状横向“达通”二极管(D)的“基区”和电容(C)的下电极，磷扩散形成的N⁺ (22)是横向“达通”二极管的“发射区”。P⁺区和N⁺区之间W区是横向“达通”二极管反向偏压时的达通区。采用化学气相沉积法制造出硅片表面上的SiO₂和Si₃N₄绝缘电介质层(31)，它也是电容(C)的电介质层；再在此电介质层上沉积制作电阻(R)(32)和电容(C)(33)的掺磷多晶硅层。金属铝层作为金属化层，光刻后，形成电路内互连线，压点区铝层(43)和接地区(G)的压焊点。沉积掺磷SiO₂ (34)形成芯片钝化层，光刻出压焊点(43)和接地点(G)制成芯片。