首页/ 黑龙江八达通用微电子有限公司/ 专利详情

一种低电容肖特基二极管的制造方法

基本信息

申请号 CN201110000638.1 申请日 -
公开（公告）号 CN102129988A 公开（公告）日 2011-07-20
申请公布号 CN102129988A 申请公布日 2011-07-20
分类号 H01L21/329(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 杨忠武;朱江 申请（专利权）人 黑龙江八达通用微电子有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 150078 黑龙江省哈尔滨市开发区迎宾路集中区天平路6号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种低电容肖特基二极管的制造方法，通过氮气气氛扩散工艺，在外延层上表面形成杂质浓度连续降低的轻掺杂层。本发明的低电容肖特基二极管的制造方法，工艺简单易于生产，可对器件的电参数特性进行进一步优化。