一种高纯度单分散多孔氧化硅球的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010869164.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112156730B | 公开（公告）日 | 2022-05-03 |
| 申请公布号 | CN112156730B | 申请公布日 | 2022-05-03 |
| 分类号 | B01J13/02（2006.01）I | 分类 | 一般的物理或化学的方法或装置; |
| 发明人 | 马珍珍;蒋学鑫;王韶晖;张轲轲 | 申请（专利权）人 | 安徽壹石通材料科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 合肥中博知信知识产权代理有限公司 | 代理人 | 肖健 |
| 地址 | 233400安徽省蚌埠市怀远县经济开发区金河路10号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高纯度单分散多孔氧化硅球的制备方法，涉及纳米材料技术领域，本发明所述的高纯度单分散多孔氧化硅球的制备方法，无需聚合物模板、表面活性剂、致孔剂，利用硅源中苯基的空间位阻效应致孔，使得制备过程简单，同时也节约了聚合物、表面活性剂等资源，降低了生产成本；并且制备过程中没有加入聚合物、表面活性剂等其它物质，因此无表面活性剂等残留成分，纯度更高。 |
