一种防止垂直腔面发射半导体激光器在湿法氧化时开裂的方法
基本信息
| 申请号 | CN200610044192.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN100365889C | 公开（公告）日 | 2008-01-30 |
| 申请公布号 | CN100365889C | 申请公布日 | 2008-01-30 |
| 分类号 | H01S5/183(2006.01);H01S5/00(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L21/473(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蒋伟;刘凯;张彦伟;孙夕庆 | 申请（专利权）人 | 常州中微光电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 潍坊鸢都专利事务所 | 代理人 | 常州中微光电子科技有限公司;中微光电子（潍坊）有限公司 |
| 地址 | 261061山东省潍坊市高新技术开发区玉清街东首中微光电子有限公司 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种防止垂直腔面发射半导体激光器在湿法氧化时开裂的方法：依次是将需要氧化的砷化镓晶片放置在氧化炉内腔的石墨块上，密封氧化炉，将水蒸气由氮气夹带通入到氧化炉内腔中，分三个升温时段加热氧化炉，使砷化镓晶片氧化后，关闭水蒸气通路，再经过降温时段、烘烤时段和自然冷却时段，最后关闭氮气通路，从氧化炉内取出氧化的砷化镓晶片。采用这种防止垂直腔面发射半导体激光器在湿法氧化时开裂的方法，操作过程的重复性高、稳定性好，在湿法氧化工艺过程中，开裂现象很少出现，质量稳定，成品率提高到95％以上。 |
