一种基于金属电极的纳米线阵列的生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201510194994.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104909336B | 公开（公告）日 | 2016-07-13 |
| 申请公布号 | CN104909336B | 申请公布日 | 2016-07-13 |
| 分类号 | B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 分类 | 超微技术〔7〕; |
| 发明人 | 任大海;尤政;边潍;魏福建;郭甜薇 | 申请（专利权）人 | 江苏智能微系统工业技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 清华大学 |
| 地址 | 100084 北京市海淀区北京市100084-82信箱 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于微电子工艺领域和仪器仪表技术领域，特别涉及特别涉及一种基于金属电极的纳米线阵列的生长方法。本发明方法步骤包括：步骤1，在多孔模板两侧分别制作电极A和电极B，其中电极B需确保不会堵塞多孔模板的孔洞；所述电极A为溅射得到的金属电极，所述电极B为溅射得到的金属电极；步骤2，电极A和电极B分别与电源相连，并浸入装有电解液的溶液槽中，直至生长出均匀的纳米线阵列。相比于采用化学机械抛光来保证纳米线长度的一致性的方法，本发明方法对于纳米线的长度控制更加简单易行，不再需要抛光工艺介入。同时，本发明所提供的工艺途径避免了抛光过程对多孔模板的损伤，有利于良品率的提高。 |
