一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构
基本信息
| 申请号 | CN201920110029.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209358060U | 公开（公告）日 | 2019-09-06 |
| 申请公布号 | CN209358060U | 申请公布日 | 2019-09-06 |
| 分类号 | H01S5/12（2006.01）I; H01S5/223（2006.01）I; H01S5/323（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘从军; 王兴; 张海超; 岳宗豪; 许众; 赵赫; 王凡; 高晨 | 申请（专利权）人 | 陕西源杰半导体科技股份有限公司咸阳分公司 |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司 |
| 地址 | 712000 陕西省咸阳市西咸新区沣西新城总部经济园9号楼1311室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供的一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构，包括具有P‑InP/N‑InP同质结结构的衬底，该衬底的表面形成有波导结构，该波导结构的两侧波导区分别形成有N‑InP结构，所述N‑InP结构的高度大于波导结构的高度，使得在波导区正上方形成漏斗状结构；本实用新型提供的一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构，包括具有P‑InP/N‑InP同质结结构的衬底，该衬底的表面形成有波导结构，该波导结构的两侧波导区分别形成有N‑InP结构，所述N‑InP结构的高度大于波导结构的高度，使得在波导区正上方形成漏斗状结构。 |
