一种改进型梯度凝固GaAs单晶生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201410075134.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103789835A | 公开（公告）日 | 2014-05-14 |
| 申请公布号 | CN103789835A | 申请公布日 | 2014-05-14 |
| 分类号 | C30B29/42(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 金敏;徐家跃;何庆波 | 申请（专利权）人 | 昆山鼎晶镓业晶体材料有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215300 江苏省苏州市昆山市经济技术开发区章基路159号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明专利提供了一种改进型梯度凝固GaAs单晶生长方法，它对传统垂直梯度凝固法(VGF)或垂直布里奇曼法(VB)晶体生长装置进行了改造。其特征在于加热系统被安装在晶体生长炉顶部，加热元件为一组串联的U型硅钼棒。炉体内温度分布曲线通过隔热板形成。GaAs原料在隔热板以上的高温区熔化，熔体在隔热板形成的温度梯度区结晶生长。获得的晶体通过下降装置移至隔热板以下，高温原位退火释放热应力。采用该工艺生长的GaAs单晶具有低位错、大尺寸以及热应力小等优点。 |
