一种由工业硅提纯制备高纯硅的方法
基本信息
| 申请号 | CN200910102811.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102040219A | 公开（公告）日 | 2011-05-04 |
| 申请公布号 | CN102040219A | 申请公布日 | 2011-05-04 |
| 分类号 | C01B33/037(2006.01)I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 吴展平 | 申请（专利权）人 | 陕西威斯特硅业有限公司 |
| 代理机构 | 贵阳东圣专利商标事务有限公司 | 代理人 | 贵阳宝源阳光硅业有限公司;陕西威斯特硅业有限公司 |
| 地址 | 550014 贵州省贵阳市白云区白云北路硅材料基地 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种由工业硅提纯制备高纯硅的方法，该方法是结合工业硅生产，直接利用炉外精炼硅熔体，在炉外精炼设备里进行氧化造渣除硼，去渣后的硅熔体上倾倒入除磷的设备，还原造渣除磷后，待硅熔体缓慢冷却至室温，将得到的硅锭去掉渣层、杂质含量高的表层后，粉碎至粒度20-50目，再进入高纯盐酸中浸泡、清洗，烘干。最后进行定向凝固进一步除金属杂质，得到B含量＜0.5ppm，P含量＜1ppm，总金属夹杂物含量＜1ppm的高纯硅。 |
