一种去除硅中杂质磷的方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种去除硅中杂质磷的方法

基本信息

申请号	CN200910102781.4	申请日	-
公开（公告）号	CN102020278A	公开（公告）日	2011-04-20
申请公布号	CN102020278A	申请公布日	2011-04-20
分类号	C01B33/037(2006.01)I	分类	无机化学;
发明人	吴展平	申请（专利权）人	陕西威斯特硅业有限公司
代理机构	贵阳东圣专利商标事务有限公司	代理人	徐逸心
地址	550014 贵州省贵阳市白云区白云北路硅材料基地
法律状态	-

摘要

本发明一种去除硅中杂质磷的方法，属物理冶金提纯硅的技术领域，采用真空感应炉，在惰性气体氩气保护下，用具有强还原性的含钙合金或钙化合物作为脱磷剂，用钙的卤化物作助熔剂，在硅熔融态下进行脱磷反应。其操作步骤是：将工业硅料、脱磷剂、助熔剂按比例配好，混匀盛入坩埚内，将坩埚置于密闭的真空感应加热炉；抽出炉内空气，使加热炉保持微负压，停止抽真空，向加热炉内填充氩气，使炉内外气压一致；感应加热，当炉内温度达到1450℃-1600℃时，维持20-30min；脱磷结束后，缓慢自然冷却至室温；在稀盐酸下浸泡处理硅块2-4小时，去除杂质。经过脱磷处理后的硅块，磷含量小于2ppm，再进行去硼、去金属杂质处理，可作为太阳能电池的硅原料。