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一种太阳能级硅的制备方法

基本信息

申请号 CN200810068908.0 申请日 -
公开（公告）号 CN101357765B 公开（公告）日 2011-02-02
申请公布号 CN101357765B 申请公布日 2011-02-02
分类号 C01B33/037(2006.01)I 分类 无机化学;
发明人 吴展平 申请（专利权）人 陕西威斯特硅业有限公司
代理机构 贵阳东圣专利商标事务有限公司 代理人 贵阳高新阳光科技有限公司;陕西威斯特硅业有限公司
地址 550014 贵州省贵阳市白云区白云北路硅材料基地
法律状态 -

摘要

摘要 本发明一种太阳能级纯度硅的制备方法，提供一种杂质总含量低于10ppma，B<2ppma，P<6ppma，电阻率>0.3Ω.cm的硅的制备方法。以工业硅粉作为原材料，经过简单的化学预处理后，将硅粉和复配造渣剂混匀装在感应熔炼炉内的石英坩埚内，在微真空或常压下，向熔炼炉内吹入保护性气体；感应加热，使炉内温度达1450℃-1700℃，将金属硅熔炼成硅熔体；进行造渣除杂，本方法能有效降低硅中B的含量，使B<2ppma，能够满足新工艺制造低成本太阳能电池对硅原料的一般要求。本发明生产工艺简单，生产成本低，易于规模化生产，且投资少，建设周期短。