太阳能级硅的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN200610200551.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101085678A | 公开（公告）日 | 2007-12-12 |
| 申请公布号 | CN101085678A | 申请公布日 | 2007-12-12 |
| 分类号 | C01B33/021(2006.01);C01B33/037(2006.01) | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 吴展平;杜相华;杨晗辉 | 申请（专利权）人 | 陕西威斯特硅业有限公司 |
| 代理机构 | 贵阳中新专利商标事务所 | 代理人 | 贵阳高新阳光科技有限公司;陕西威斯特硅业有限公司 |
| 地址 | 550008贵州省贵阳市高新区高新技术创业服务中心 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种太阳能级硅的制备方法，该方法采用金属硅或金属硅粉为原材料，通过化学除杂与物理冶炼除杂相结合的方法，将硅中的各杂质元素含量降到1ppm以下，特别是磷≤0.5ppm，B≤0.3ppm，电阻率≥2Ωcm，从而制得低成本的高纯硅。与现有技术相比，本发明采用化学处理和物理处理相结合，能更有效地降低硅里面的杂质元素；能耗较低，设备投资少，建设周期短，过程的环保容易克服，相同规模的投资比较少；与纯物理熔炼方法比较，更容易降低B、P的含量，所得产品纯度高。 |
