一种太阳能级硅的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN200810068908.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101357765A | 公开（公告）日 | 2009-02-04 |
| 申请公布号 | CN101357765A | 申请公布日 | 2009-02-04 |
| 分类号 | C01B33/037(2006.01) | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 吴展平 | 申请（专利权）人 | 陕西威斯特硅业有限公司 |
| 代理机构 | 贵阳东圣专利商标事务有限公司 | 代理人 | 贵阳高新阳光科技有限公司;陕西威斯特硅业有限公司 |
| 地址 | 550014贵州省贵阳市白云区白云北路硅材料基地 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明一种太阳能级纯度硅的制备方法，提供一种杂质总含量低于10ppma，B＜2ppma，P＜6ppma，电阻率＞0.3Ω.cm的硅的制备方法。以工业硅粉作为原材料，经过简单的化学预处理后，将硅粉和复配造渣剂混匀装在感应熔炼炉内的石英坩埚内，在微真空或常压下，向熔炼炉内吹入保护性气体；感应加热，使炉内温度达1450℃－1700℃，将金属硅熔炼成硅熔体；进行造渣除杂，本方法能有效降低硅中B的含量，使B＜2ppma，能够满足新工艺制造低成本太阳能电池对硅原料的一般要求。本发明生产工艺简单，生产成本低，易于规模化生产，且投资少，建设周期短。 |
