垂直型器件的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202010027027.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113113496B | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN113113496B | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L29/872（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 程凯 | 申请（专利权）人 | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京博思佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 曾莺华 |
| 地址 | 215123江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种垂直型器件的制作方法，以提高垂直型器件的反向击穿电压。该制备方法包括：在N型重掺杂层的正面形成多个第一凹槽；在第一凹槽内以及N型重掺杂层的正面形成N型轻掺杂层，在N型轻掺杂层上形成第二凹槽，第二凹槽位置对应第一凹槽形成；在第二凹槽内以及N型轻掺杂层的正面形成P型半导体层；平坦化P型半导体层，除去位于N型轻掺杂层的正面的P型半导体层，仅保留第二凹槽内的P型半导体层；在上述结构上形成钝化层，钝化层形成有第三凹槽，第三凹槽位于第二凹槽内的部分P型半导体层上、以及相邻的两个第二凹槽之间的N型轻掺杂层上第三凹槽的深度等于钝化层的厚度；形成第一电极和第二电极。 |
