半导体结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201980098556.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114175274A | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN114175274A | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 程凯 | 申请（专利权）人 | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京博思佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁鹏 |
| 地址 | 215123江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括：层叠设置的第一n型半导体层、p型半导体层以及第二n型半导体层，所述第一n型半导体层中设有掩埋层，所述掩埋层为AlGaN；凹槽，所述凹槽至少贯穿所述第二n型半导体层以及所述p型半导体层，且所述凹槽的下方至少留有部分所述掩埋层；设于凹槽内的栅极。所述制备方法用于制备所述半导体结构。本申请通过设置具有AlGaN的掩埋层，在接续高温生长其他半导体层的过程中，由于AlGaN在高温下不易分解，因此凹槽不会贯穿掩埋层，从而凹槽的深度不会低于具有AlGaN的掩埋层，而能够精确控制凹槽的深度。 |
