氮化物半导体衬底的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201980099229.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114207847A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114207847A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L33/20（2006.01）I;H01L33/32（2006.01）I;H01L33/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 程凯 | 申请（专利权）人 | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京博思佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁鹏 |
| 地址 | 215123江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种氮化物半导体衬底的制作方法，利用埋层二氧化硅与第一氮化物半导体层之间的点接触与部分悬空结构，缓解第二氮化物半导体层外延生长中的应力失配问题，可实现低缺陷、大尺寸氮化物半导体衬底的制作；此外，也利于自支撑氮化物半导体衬底制作过程中的底层硅剥离。 |
