一种半导体结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201980095825.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114072925A | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN114072925A | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | H01L29/778（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 程凯 | 申请（专利权）人 | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京布瑞知识产权代理有限公司 | 代理人 | 孟潭 |
| 地址 | 215123江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底（1）、沟道层（4）、势垒层（5）、栅极结构（6）、源极（7）、漏极（8），其中所述栅极结构（6）包括p型半导体层（62）、n型半导体层（63）、栅极（65）；提高了栅极（65）对沟道的控制能力；提高半导体器件的阈值电压，避免栅极结构（6）垂直漏电，降低栅极结构（6）侧面漏电；避免沟道退化，提高器件的整体输出特性。 |
