GaN基半导体结构
基本信息
| 申请号 | CN202122239416.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215933615U | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN215933615U | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L29/778（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 程凯 | 申请（专利权）人 | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京博思佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 林祥 |
| 地址 | 215123江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种GaN基半导体结构，包括：衬底，沟道层与势垒层，沟道层与势垒层包括栅极区域、源极区域与漏极区域；位于源极区域上的源区N型离子重掺杂，位于漏极区域上的漏区N型离子重掺杂层；以及位于栅极区域上的栅极、位于源区N型离子重掺杂层上的源极与位于漏区N型离子重掺杂层上的漏极。根据本实用新型的实施例，可以增大二维电子气在源极至沟道，和/或沟道至漏极路径上的收集面积，从而降低通过电阻。 |
