发光器件、发光器件的模板及其制备方法

基本信息

申请号 CN201980097776.0 申请日 -
公开(公告)号 CN114072895A 公开(公告)日 2022-02-18
申请公布号 CN114072895A 申请公布日 2022-02-18
分类号 H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 程凯;张丽旸 申请(专利权)人 苏州晶湛半导体有限公司
代理机构 北京布瑞知识产权代理有限公司 代理人 秦卫中
地址 215123江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
法律状态 -

摘要

摘要 一种发光器件、发光器件的模板及其制备方法,通过在衬底(1)上设置GaN基半导体层(2)和掩膜层(3),其中掩膜层(3)包括多个间隔设置的掩膜开孔,且使用GaN基半导体层(2)填充掩膜开孔;并且在多个间隔设置的掩膜开孔内的GaN基半导体层(2)表面设置牺牲层(4),利用间隔设置掩膜开孔,可以直接在掩膜开孔上形成间隔的发光单元(5),避免侧壁刻蚀,提高了发光器件的发光效率,并且通过刻蚀牺牲层(4)来剥离发光器件,实现模板的重复利用,降低成本。