一种半导体结构和制备半导体结构的方法
基本信息
| 申请号 | CN201780089029.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110494987B | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN110494987B | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L29/15（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 程凯;向鹏 | 申请（专利权）人 | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京布瑞知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李浩 |
| 地址 | 215123江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构和制备半导体结构的方法，解决了现有技术中在衬底上外延生长半导体化合物外延结构所存在的易龟裂、翘曲大的问题。该半导体结构包括：衬底（1）；设置在所述衬底（1）上方的至少一个周期结构（3）；其中，每个所述周期结构（3）包括至少一个周期，每个所述周期包括沿外延方向依次叠加的第一周期层（31）和第二周期层（32）；其中，所述第n个周期结构（3）的厚度小于所述第n+1个周期结构（3）的厚度，n为大于等于1的整数。 |
