一种功率器件保护芯片及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201810746985.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108922925A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN108922925A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 钟丽兰 | 申请（专利权）人 | 深圳物芯半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市兰锋知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹明兰 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道科技园社区琼宇路2号特发信息科技大厦15楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种功率器件保护芯片及其制作方法，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的第一外延层，生长于所述衬底上表面；第一导电类型的埋层，形成于所述第一外延层内；第二导电类型的第二外延层，形成于所述第一外延层上表面；第二导电类型的第三外延层，贯穿所述第二外延层并与所述埋层连接；第一导电类型的第一注入区，形成于所述第二外延层内且与所述埋层及所述第三外延层相连接；介质层，所述介质层包括位于所述第二外延层上表面的第一部分与所述第一部分连接并贯穿所述第二外延层延伸至所述第一外延层的第二部分；多晶硅层，贯穿所述第一部分延伸至所述第三外延层内。本发明可提高器件性能降低器件成本。 |
