一种二次电池负极材料用纳米硅粒子的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010057479.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111785952B | 公开（公告）日 | 2021-10-29 |
| 申请公布号 | CN111785952B | 申请公布日 | 2021-10-29 |
| 分类号 | H01M4/38（2006.01）I;H01M10/0525（2010.01）I;C01B33/021（2006.01）I;B82Y40/00（2011.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 金奉渊;李琰;张满强 | 申请（专利权）人 | 成都拓米电子装备制造有限公司 |
| 代理机构 | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李想 |
| 地址 | 611730四川省成都市郫都区成都现代工业港新经济产业园文德西街389号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种二次电池负极材料用纳米硅粒子的制造方法，属于电池材料的技术领域，该方法包括：将A硅晶片经水溶性粘合剂处理，以获取表面带有水溶性粘合剂膜的B硅晶片；将B硅晶片进行激光照射获取C硅晶片并通过C硅晶片制备高浓度的纳米颗粒溶液；通过对高浓度纳米硅溶液进行加热或过滤以制备纳米硅粉末，即为均匀的纳米硅颗粒，以达到提高原料的利用率并能够进行大批量生产的效果。 |
