首页/ 上海煦康电子科技有限公司/ 专利详情

半导体元件烧结的工艺方法

基本信息

申请号 CN201110247639.6 申请日 -
公开（公告）号 CN102306621A 公开（公告）日 2012-01-04
申请公布号 CN102306621A 申请公布日 2012-01-04
分类号 H01L21/02(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;F27B9/30(2006.01)I;F27D9/00(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陆利新;孙逸;仝韶华;李桂琴 申请（专利权）人 上海煦康电子科技有限公司
代理机构 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 上海煦康电子科技有限公司
地址 200233 上海市徐汇区田林路140号28幢511室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提出一种半导体元件烧结的工艺方法，包括：将半导体元件放置在传输丝网上；开启设置在烧结炉内的红外辐射管；启动所述传输丝网，使所述半导体元件通过所述传输丝网传输到所述烧结炉内，所述烧结炉内的红外辐射管辐射所述半导体元件，使所述半导体元件依次完成烘干、预烧结以及烧结工艺。本发明提供的半导体元件烧结的工艺方法，通过设置在烧结炉炉体内的红外辐射管对半导体元件进行直接加热，采用不同波长的红外辐射管依次完成对半导体元件的烘干、预烧结以及烧结工艺，优化了提供能源的结构，使半导体元件的成品率和产出率得到了提高。