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高效率封装的IGBT模块

基本信息

申请号	CN202011546565.1	申请日	-
公开（公告）号	CN112670276A	公开（公告）日	2021-04-16
申请公布号	CN112670276A	申请公布日	2021-04-16
分类号	H01L25/07;H01L29/739;H01L29/868;H01L23/488	分类	基本电气元件;
发明人	吕岩;陈宝川;朱阳军;苏江	申请（专利权）人	芯长征微电子制造（山东）有限公司
代理机构	苏州国诚专利代理有限公司	代理人	韩凤
地址	264300 山东省威海市荣成市崂山南路788号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种高效率封装的IGBT模块。其包括封装底板、设置于所述封装底板上的模块第一覆铜陶瓷板以及设置于所述封装底板上的模块第二覆铜陶瓷板，在模块第一覆铜陶瓷板上设有第一IGBT芯片单元体，在模块第二覆铜陶瓷板上设有第二IGBT芯片单元体；第一IGBT芯片单元体、第二IGBT芯片单元体能与封装底板上的功率端子组、控制端子板组适配连接，以连接成所需的IGBT拓扑电路；功率端子组与模块第一覆铜陶瓷板、模块第二覆铜陶瓷板适配电连接，且功率端子组内的功率端子体与模块第一覆铜陶瓷板和/或模块第二覆铜陶瓷板通过超声波焊接或软钎料焊接固定。本发明结构紧凑，采用超声波焊接，能提高IGBT模块的生产效率以及质量。