一种等温CVD法制备单晶热场产品的装炉结构
基本信息
| 申请号 | CN201920487146.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210177004U | 公开（公告）日 | 2020-03-24 |
| 申请公布号 | CN210177004U | 申请公布日 | 2020-03-24 |
| 分类号 | C30B25/00(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 姜召阳;曹磊;罗昆鹏;陈小飞;张贵岐;高晓佳;于红刚;王春梅 | 申请（专利权）人 | 航天睿特碳材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京金宏来专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 苗彩娟 |
| 地址 | 253700山东省德州市庆云红云高新技术产业开发区东环路中段路东2588号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提出了一种等温CVD法制备单晶热场产品的装炉结构，包括筒状的保温筒体，所述保温筒体由若干保温筒叠加形成，安装在炉筒底部设置的石墨料盘上，所述保温筒体内叠加若干导气装置；所述保温筒体顶端设有圆环形限气板，所述圆环形限气板的内环边沿与保温筒体的顶端连接，外环边沿与炉筒内壁连接；所述炉筒顶部连接石墨导气管，所述石墨导气管底部伸入顶部的导气装置内，且所述石墨导气管上设有若干气孔。本实用新型保证气体从坩埚和导流筒的间隙、坩埚和保温筒体间隙及导流筒内部均进行沉积，减少沉积距离，提高沉积效率；通过第一分气工装和第二分气工装的作用，提高导流筒底部距离坩埚内底的距离，增加气体流畅性，避免出现炭黑的现象。 |
