微波介质部件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201710218040.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107022747B | 公开（公告）日 | 2019-12-31 |
| 申请公布号 | CN107022747B | 申请公布日 | 2019-12-31 |
| 分类号 | C23C14/48;C23C14/20;C23C14/18;C23C14/32;C23C28/02;H03H9/19;H01P1/00 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 王志建;宋红林;吴香兰;白四平 | 申请（专利权）人 | 武汉光谷创元电子有限公司 |
| 代理机构 | 中国专利代理（香港）有限公司 | 代理人 | 周心志;刘林华 |
| 地址 | 430070 湖北省武汉市东湖开发区关东园路18号高科大厦10楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种微波介质部件及其制造方法，旨在解决现有技术中的微波介质部件的金属层表面粗糙度大、金属层与微波介质基材结合力差等问题。该微波介质部件包括微波介质基材和金属层。该金属层结合在该微波介质基材的表面上。该金属层包括导电籽晶层和金属加厚层，该导电籽晶层包括注入该微波介质基材的表面内的离子注入层和附着在该离子注入层上的等离子体沉积层，并且该金属加厚层附着在该等离子体沉积层上。本发明所制得的金属层表面粗糙度低，且由于导电籽晶层嵌入微波介质基材内部一定深度，因此所形成的金属层与微波介质基材间具有较高的剥离强度。 |
