真空处理装置
基本信息
| 申请号 | CN201910717248.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112323034A | 公开（公告）日 | 2021-02-05 |
| 申请公布号 | CN112323034A | 申请公布日 | 2021-02-05 |
| 分类号 | C23C14/48(2006.01)I; | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 郭久林;张志强;杨志刚 | 申请（专利权）人 | 武汉光谷创元电子有限公司 |
| 代理机构 | 中国专利代理（香港）有限公司 | 代理人 | 刘林华;金飞 |
| 地址 | 430070湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号高科大厦8楼8078室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种真空处理装置(1)，包括：上料系统(10)，构造成将基材(100)送入真空处理装置(1)中；设置在真空腔体(C)内的离子源系统(20)，包括前处理模块、离子注入模块(22)、多弧离子镀沉积模块(23)以及磁控溅射模块(24)，以对基材(100)进行处理；电源系统(30)，为离子源系统(20)中的各个模块提供电力；移动系统(40)，构造成移动基材(100)以使其经过离子源系统(20)中的各个模块；以及下料系统(50)，构造成从真空处理装置(1)取出处理后的基材(100)。这种真空处理装置具有高效率、自动化、低成本的特点，能够实现数量众多的小型多面体块状器件的连续金属化。 |
