微波器件的制造设备和制造方法

基本信息

申请号 CN202010381497.1 申请日 -
公开(公告)号 CN113621929A 公开(公告)日 2021-11-09
申请公布号 CN113621929A 申请公布日 2021-11-09
分类号 C23C14/50(2006.01)I;C23C14/48(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I;C23C14/20(2006.01)I;H01P11/00(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 杨志刚;王志建;郭久林 申请(专利权)人 武汉光谷创元电子有限公司
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 刘林华;金飞
地址 430070湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号高科大厦8楼8078室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种微波器件的制造设备和制造方法。微波器件的制造设备(1)包括:夹具(10,10'),所述夹具(10,10')包括能够围绕第一轴线(A1)旋转的基座(11)、以及能够围绕第二轴线(A2)摆动的托架(12),所述托架(12)连接至所述基座(11)以用于保持绝缘基体(40),其中所述第一轴线(A1)与所述第二轴线(A2)相交;用于朝所述绝缘基体(40)释放金属离子的源头(20);以及控制器(30),所述控制器(30)耦合至所述夹具(10,10')和所述源头(20),并且构造成控制所述夹具(10,10')的运动模式和/或所述源头(20)的角度,使得所述绝缘基体(40)从多个角度接收所述金属离子,并在所述绝缘基体(40)的所有表面(41)上形成金属层(50)。