制作高频天线封装基板的加成法工艺和AiP封装天线结构
基本信息
| 申请号 | CN201911030072.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110798988A | 公开（公告）日 | 2020-02-14 |
| 申请公布号 | CN110798988A | 申请公布日 | 2020-02-14 |
| 分类号 | H05K3/10;H05K3/24;H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50 | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
| 发明人 | 张志强;张金强;杨志刚 | 申请（专利权）人 | 武汉光谷创元电子有限公司 |
| 代理机构 | 中国专利代理（香港）有限公司 | 代理人 | 朱铁宏;陈浩然 |
| 地址 | 430070 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号高科大厦8楼8078室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及制作高频天线封装基板的加成法工艺和AiP封装天线结构。具体而言，公开了一种用于制作高频天线封装基板或器件的加成法工艺，包括：在绝缘基材的表面上局部丝印覆盖材料；对覆盖材料的表面和未经覆盖的绝缘基材的表面进行离子注入金属化以形成导电籽晶层；从绝缘基材的表面去除覆盖材料以露出导电籽晶层的金属化导电图形；以及在露出的导电籽晶层的金属化导电图形上进行图形电镀铜加厚以形成带有最终金属化图形的天线封装基板或器件。此外，还公开了一种AiP封装天线结构，包括天线封装基板，以及电性连接至天线封装基板的芯片。天线封装基板的导体线路截面是完全的垂直型，从而能够最大限度地避免在毫米波高频信号方面的损耗。 |
