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一种背面电容结构及制作方法

基本信息

申请号 CN201910852659.2 申请日 -
公开（公告）号 CN110752207B 公开（公告）日 2021-04-30
申请公布号 CN110752207B 申请公布日 2021-04-30
分类号 H01L23/64 分类 基本电气元件;
发明人 吴淑芳;陈智广;李立中;黄光伟;吴靖;马跃辉;庄永淳;林伟铭 申请（专利权）人 福建省福联集成电路有限公司
代理机构 福州市景弘专利代理事务所（普通合伙） 代理人 徐剑兵;张忠波
地址 351117 福建省莆田市涵江区江口镇赤港涵新路3688号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种背面电容结构及制作方法，其中方法包括如下：在半导体衬底的正面设有氮化物层，在半导体衬底的背面正对氮化物层设置有孔，所述孔底为氮化物层：在孔内壁和半导体衬底的背面上设置有第一金属层；在孔内壁和半导体衬底的背面上设置有介质层，介质层覆盖第一金属层；在半导体衬底的第一金属层上的介质层设置有通孔；在半导体衬底的背面上制作孔，制作孔内的电容结构可以大大提高电容面积，提高了外延结构的面积利用率；占用的平面空间更小，有利于缩小器件尺寸；不改变原有的制程工艺上，制作出背面电容，节省工艺成本。