一种孔槽式的电容结构及制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201910366425.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110223970B | 公开（公告）日 | 2021-04-30 |
| 申请公布号 | CN110223970B | 申请公布日 | 2021-04-30 |
| 分类号 | H01L23/64;H01L23/522;H01L21/48 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 庄永淳;吴靖;马跃辉;黄光伟;李立中;林伟铭 | 申请（专利权）人 | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 福州市景弘专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 徐剑兵;林祥翔 |
| 地址 | 351117 福建省莆田市涵江区江口镇赤港涵新路3688号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种孔槽式的电容结构及制作方法，其中方法包括如下步骤：在半导体器件上制作绝缘区域；在绝缘区域的位置制作孔；在孔内壁制作第一金属层；在孔内壁的第一金属层上制作覆盖第一金属层介质层；在孔内壁的介质层上制作第二金属层。本方案可以解决传统平面电容占用半导体器件面积大、容值低的问题。 |
