首页/ 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司/ 专利详情

半导体器件的制造方法

基本信息

申请号 CN201810570900.8 申请日 -
公开（公告）号 CN110571194B 公开（公告）日 2021-11-19
申请公布号 CN110571194B 申请公布日 2021-11-19
分类号 H01L21/8234（2006.01）I;H01L21/8238（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 张海洋;钟伯琛 申请（专利权）人 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司
代理机构 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 屈蘅;李时云
地址 300385天津市西青区中国天津市西青经济开发区兴华道19号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种半导体器件的制造方法，先在第一区和第二区内形成顶面高度不同的第一虚拟栅极结构和第二虚拟栅极结构，然后利用层间介质层将顶面高度相对较低的第一虚拟栅极结构保护起来，并将第二虚拟栅极结构替换为第二金属栅极结构，之后再次通过化学机械平坦化工艺对第二虚拟栅极结构顶面的高度进行较低，直至暴露出第一虚拟栅极结构，由此可以将第一虚拟栅极结构替换为第一金属栅极结构，本发明的方法避免了原有的形成不同的功函数层时的光刻工艺和刻蚀工艺，使得第一金属栅极结构和第二金属栅极结构的形成工艺能够相互独立，不会对彼此所在的半导体衬底的区域带来额外的工艺损伤，提高最终制得的半导体器件的性能。