半导体垂直结构和半导体器件的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201810036773.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110047923B | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN110047923B | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L29/775（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张海洋;纪世良 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 地址 | 300385天津市西青区中国天津市西青经济开发区兴华道19号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体垂直结构和半导体器件的制造方法，至少在半导体材料层的表面上覆盖一金属催化剂层后，再以所述图案化掩膜为掩膜，在金属催化剂层的催化作用下对所述半导体材料层进行刻蚀，以形成半导体垂直结构，能够较为精确地控制形成的半导体垂直结构的关键尺寸，改善半导体垂直结构的线条粗糙度，进而提高具有该半导体垂直结构的半导体器件的性能，适用于微米级或纳米级的半导体垂直结构的制造。 |
