一种半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201810565371.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110556299B | 公开（公告）日 | 2021-11-16 |
| 申请公布号 | CN110556299B | 申请公布日 | 2021-11-16 |
| 分类号 | H01L21/48（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 牛刚 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 |
| 代理机构 | 北京睿派知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘锋 |
| 地址 | 300000天津市西青区经济开发区兴华道19号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括金属间介电层以及位于所述金属间介电层上的上层金属电极；形成钝化层，所述钝化层覆盖所述上层金属电极和所述金属间介电层；在钝化层表面上相邻的上层金属电极之间的位置刻蚀形成凹槽；形成露出上层金属电极的通孔；在所述通孔中形成金属柱。通过所述方法，在钝化层表面形成凹槽结构，所述凹槽结构延长了金属原子的扩散路径，从而避免封装过程中金属柱中的金属原子扩散导致短路的现象，保证了封装的可靠性，提高了产品的良率。 |
