半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010815465.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114078747A | 公开（公告）日 | 2022-02-22 |
| 申请公布号 | CN114078747A | 申请公布日 | 2022-02-22 |
| 分类号 | H01L21/768（2006.01）I;H01L23/522（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李艳楠;张艳红;陈秋颖;陈亮;杨林宏 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 |
| 代理机构 | 北京市一法律师事务所 | 代理人 | 刘荣娟 |
| 地址 | 300385天津市西青区兴华道19号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供半导体结构及其形成方法，所述结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一金属层；第一介质层以及贯穿所述第一介质层且连接所述第一金属层的第一层间连接结构，所述第一介质层位于所述第一金属层表面；以此类推，第n介质层以及贯穿所述第n介质层且直接连接第m层间连接结构的第n层间连接结构，所述第n介质层位于第m介质层表面，其中，所述m为n‑1，所述n为大于等于二的整数。所述半导体结构中，相邻两层层间连接结构直接连接在一起，不需要使用额外的金属层来电连接，一方面减少相关材料的使用，可以降低成本，减少了金属层的形成，简化了工艺，另一方面可提高层间介质层的结构稳定性，从提高器件可靠性。 |
