硅通孔结构的形成方法、CIS晶圆的形成方法及CIS晶圆
基本信息
| 申请号 | CN201810962910.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110858597B | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN110858597B | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | H01L27/146（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 尹卓;李建 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 屈蘅 |
| 地址 | 300385天津市西青区西青经济开发区兴华道19号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种硅通孔结构的形成方法、CIS晶圆的形成方法及CIS晶圆，包括提供晶圆键合结构，所述像素晶圆中的第一层叠层中形成有第一顶层金属层及第一阻挡层，所述第一阻挡层覆盖部分所述第一顶层金属层，当刻蚀所述晶圆键合结构以形成硅通孔时，所述像素晶圆的第一阻挡层可以保护其顶层金属不被刻蚀，刻蚀停止在暴露出所述逻辑晶圆的第二顶层金属层，所以，形成的开口可以同时暴露出第一顶层金属层和第二顶层金属层。本发明提供的硅通孔结构的形成方法及CIS晶圆的形成方法可以通过一步刻蚀形成开口，简化了工艺，节约了光罩，并且降低了制造的成本和时间。 |
