一种半导体结构的形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010748146.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114068391A | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN114068391A | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | H01L21/768（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈雷;刘伟杰;李艳楠;张艳红 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 |
| 代理机构 | 北京市一法律师事务所 | 代理人 | 刘荣娟 |
| 地址 | 300385天津市西青区兴华道19号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括第一表面和第二表面；使所述晶圆的第二表面与反应腔中的加热器接触；通过所述加热器中的真空管路抽气，使所述晶圆的第二表面和所述加热器之间的气压小于100毫托；向所述反应腔中通入惰性气体使所述反应腔中的气压为30托至90托。本申请所述的半导体结构的形成方法，在晶圆进入反应腔中放置在加热器上后，迅速使用加热器的真空管路吸附住晶圆，并在晶圆正面加上一定的压力，阻止晶圆由于热应力引起的形变，达到均匀加热晶圆进而均匀填充晶圆中心和边缘通孔的目的。 |
