半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201710344093.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108878529B | 公开（公告）日 | 2021-11-26 |
| 申请公布号 | CN108878529B | 申请公布日 | 2021-11-26 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张冬平;王智东;潘亚武 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 地址 | 300385天津市西青区中国天津市西青经济开发区兴华道19号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，通过在第一侧墙的侧壁以及第一侧墙底部的半导体衬底的部分侧壁上形成第二侧墙，从而可以避免金属栅极叠层结构到源/漏区间的缺陷穿通问题，避免栅极到源/漏区的漏电，通过第二侧墙和第一侧墙的厚度叠加，可以增加栅极到源/漏区之间的绝缘层厚度，避免栅极诱导漏电，提高器件可靠性。 |
